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DiskOnChip
G3:512Mb MLC NAND 闪存盘 | 2月23日讯，M-Syatems公司推出一种移动DiskOnChip
G3 512Mb闪存盘，它采用0.13um多级单元(MLC)NAND技术，在单一NAND存储单元中能存储两位信息, 由于采用先进 内置控制器和独特 闪存媒体结构，移动DiskOnChip
G3有增强 性能和无可匹敌 可靠性, 其封装尺寸为85引脚 7x10x1.2mm FBGA，是业界最小 高容量非易失 存储器，能存储数据和代码，内部总线32位，支持DMA(64KB)和多突发式存取时间25ns(80MB/s)，NOR类接口，容易使用，内核工作电压3.3V,1.8V
I/O，深降功耗(DPD)模式功耗仅10uA，内置 2KB XIP引导区使它能完全替代NOR闪存, 其它特性包括有突发模式读速度高达80MBps,
该器件采用EDC/ECC和TrueFFS技术，以改善数据完整性, 安全特性包括有16B独特 ID号和6KB
OTP区域，以缩短用户和产品特别信息, 量大时 单价为$15, 下图为产品 外形图, 详情请上网：http://www.m-sys.com
或电话：510-494-2090
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| 2003.02.27 |
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