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MGF095XP：无线应用功率GaAs
FET | 1月16日讯，Mitsubishi电子公司推出两种功率GaAs FET系列MGF0951/2P，从手机频段到U-NII(5.725-5.825GHz)频段有优异 线性性能, 微细晶体管占位尺寸为4.5mmx3.4mm, 也可提供低成本 塑料模块引线框封装，改善热特性，增强RF性能和可靠性,
MGF0951P在2.15GHz 输出功率为31dBm，增益为13dB，热阻为20度C/瓦, 而MGF0952P在2.15GHz 输出功率为36.5dBm，增益为13.5dB,热阻为5度C/瓦,
MGF0951P IP3性能为42dBm，MGF0952P则为47.5dBm, 此外，新型MGF095XP系列 两种GaAs
FET IM3性能为-45dBc，功率附加效率(PAE)为50%, 10K量 MGF0951P 单价为$5.5，MGF0952P 单价为$6.50, 详情请上网：http://www.mitsubishichips.com/common/cfm/eContentDriver.cfm
| 2003.01.23 |
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