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三星推出大容量DDR存储器模块
2003年1月22日 13:58     
FPGA成都    
【赛迪网讯】三星电子日前发布了业内第一款4GB 双倍数据速率(DDR)双列直插式存储器模块(DIMM), 

该模块拥有36个1GB DDR同步动态内存(SDRAM)组件,可获得4GB 密度并可应用于服务器, 工作站以及超级计算机, 

三星电子公司内存产品计划和工程部高级副总裁Jon Kang说:“三星公司 高级内存解决方案可应用于一系列下一代系统中,  ” “通过与高级厂商进行合作,三星公司 新型高密度DDR内存将提高高级计算机系统 利用率,  ”

这款4GB DDR DIMM内存模块是基于三星0.10微米工艺1GB DDR SDRAM内存研制 , 

1GB DDR SDRAM内存可提供266Mbps至333Mbps 速率,并可应用于400mil TSOP2封装行业标准 -x4, -x8和-x16位 配置, 

三星公司于2002年12月初开发出行业内首款1GB DDR SDRAM内存并计划于2003年下半年开始批量生产, 

三星公司是高级内存解决方案 业内领袖,产品包括DDR333和DDR400高速内存和512MB及1GB密度 内存, 

据Gartner Dataquest研究公司称,1GB DDR SDRAM内存 市场需求有望于2006年达到74亿美元,   
 
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