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L和S波段 N-沟肖特基栅GaAs FET 2003年1月21日 14:00      FPGA成都     MFG0951P：L和S波段 N-沟肖特基栅GaAs FET，输出功率高:当f=2.15GHz, Pin=20dBm,Po=31dBm;功率增益高：2.15GHz时为13dB;功率附加效率(PAE)高：f=2.15GHz 和Pin=20dBm，PAE=50%；塑料模块无引线PKG封装，可用在L/S波段功率放大器 　 本新闻留言共0条  　 北京FPGA培训,　    Copyright 2010 FPGA培训版权所有

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