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Am29PDL640G:3.0V64Mb页模式能同时读/写闪存
2003年1月21日 14:00     
FPGA成都    
Am29PDL640G:3.0V 64Mb页模式能同时读/写 闪存,16X4M结构,能在系统内编程或用标准EPROM编程器编程,写入/擦除操作时不需要12.0V Vpp,页大小为8字,单电源2.7-3.1V读,擦和编程操作,页存取时间为25ns,随机存取时间为70ns,10MHz工作时,读电流为25mA,编程/擦除电流15mA,待机电流为0.2 µA,可用在高挡汽车电子仪表盘如汽车PC,导航,语音识别和远程信息处理,下一代手机,PDA和手持PC,高端存储解决方案和PC外设,机顶盒和消费类电子产品
 
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