| 20纳米工艺芯片取得新突破 |
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| 2003年1月20日 11:23
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| FPGA成都 |
美国威斯康星大学 科学家们已经开发出了一种用100纳米掩模刻制20纳米工艺芯片 技术，这将使摩尔定律出现一个意想不到 飞跃，同时有可能延长当前所使用 光刻技术 寿命,
这种所谓 “亮度高峰(bright-peak)技术”可以通过调整掩模和晶片之间 空间来控制光刻过程,
这项技术发明者之一 Franco Cerrina是威斯康星大学 教授，他与Jame Taylor教授以及研究员Lei Yang都在此间 纳米技术中心工作，他们共同发明了这种增强 X光进程 调整掩模, Taylor说：“我们知道如何利用进程调整技术来控制衍射，这种技术在X光甚至更传统 光学刻写工艺中都很有用, ”他还说：“有了这种技术，你就可以用100纳米 掩模来刻写20纳米工艺 芯片了, ”
据Taylor介绍，在半导体生产商国际技术开发蓝图中，这大约要等到2010年才能实现, 这项技术也是威斯康星大学纳米技术中心 科学家同此间 同步加速放射中心 科学家合作 结果, 据他们介绍，这项技术让莫尔定律实现了八年 跳跃,
由英特尔公司创始人戈登·摩尔当年提出 摩尔定律宣称，芯片上 晶体管数量每隔18个月就会增加一倍,
据威斯康星大学 发明者们介绍，当今 芯片都是用248纳米或193纳米 掩模生产 ，因而在芯片 感光性树脂上最多只能刻出100纳米 性能,
业内分析人士一般认为，芯片制造商要想在芯片上刻出100纳米以下 性能，就必须放弃使用镜头聚光透过掩模在芯片上进行刻写 技术，因为石英镜头会吸收太多 光线，根本无法达到在芯片上刻写100纳米以下性能 要求, |
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