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NESG2021M05:NPN SiGe高频晶体管
2003年1月15日 14:45     
FPGA成都    
NESG2021M05:NPN SiGe高频晶体管,工作电压为Vce0=5V,在2GHz 噪音为0.9dB,5.2GHz为1.3dB,在2GHz 最大稳定增益为22.5dB,小尺寸扁平引线M05封装,高度仅为0.95mm,可用在低噪音放大器,中功率放大器和振荡器
 
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