| IR推出全新30V功率MOSFET |
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| 2003年1月15日 11:15
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| FPGA成都 |
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRLR7833及IRLR7821两款HEXFET功率MOSFET，它们以最新 条形沟槽 (Stripe-trench) 技术设计，成为当今D-Pak封装市场上通态电阻 (RDS(on)) 最低 30V MOSFET,
与同类直流-直流变换器MOSFET相比，这两款以全新技术制成 MOSFET，依实际应用需要，能将效率提升高达2.5% 或节省多达25% 元件数目,
两款新器件专为同步降压变换电路而设计，适用于服务器， 台式和笔记本电脑，以及网络和通信设备中 负载点 (Point-of-load) 变换器, IRLR7833还可用于隔离式变换器 副边同步整流,
与上一代器件相比，IRLR7833 通态电阻降低了50%，IRLR7821 栅电荷则降低了30%多, 由于IRLR7833 通态电阻极低，故特别适用于同步MOSFET应用；而IRLR7821极低 栅电荷则使其成为理想 控制MOSFET, 两款新器件 额定栅电压均达到20V，因此更加坚固耐用,
D-Pak封装正被广泛应用于同步场效应管 (FET) 范围，应用领域包括台式电脑和多电源电压调节组件 (VRM) 设计，以至每相电流高达20A 笔记本电脑应用,
IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“全新芯片组采用了IR崭新 硅技术，有助提高效率或减少元件数目, 在一项VRM设计中，设计员可利用3个IRLR7833 MOSFET取代4个低侧MOSFET，提供更高性能和效益, ” |
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