| 三星拟上调DDR3产能 坚信年底前成DRAM主流 |
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| 2009年4月23日 08:11
赛迪网 |
| FPGA成都 |
4月22日消息，韩国电子公司三星宣布，因英特尔推出5500系列Xeon服务器处理器，刺激需求增长，公司决定增加50奈米制程技术 DDR3 DRAM之产能,
DDR3是第三代 双倍数据率同步动态随机存取内存, 三星和其它公司相信DDR3将在今年底前，成为DRAM技术产业 主流, 然而有些分析师，包括Needham & Co. LLC Edwin Mok等，则认为DDR3今年内，尚无法攻下太多市占率,
三星表示，OEM厂商能够为其DDR3设计容量达192GB 服务器，且耗电量较采用DDR2之机种少60%，系统效能也将高出两倍,
新认证 DDR3芯片，执行速度规格有每秒800， 1066， 1333兆位等, 同时，相较于60 奈米制程技术 DDR3 DRAM，每秒1333兆位 芯片可以省下40%电力,
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