| 飞兆出N沟道低RDS值MOSFET |
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| 2003年1月13日 11:33
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| FPGA成都 |
本站讯 飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)针对DC/DC转换推出5种N沟道40V MOSFET，分别为FDS4770， FDS4470， FDS4780， FDS4480和FDS4672A，可用于笔记本电脑， 电脑VRM， 电信， 数据通信/路由器及其它便携/手持式设备 电源设计, FDS4770 最大Rds(on)为7.5毫欧姆，据称是40V，SO-8封装 MOSFET中 极低水平，而最高结点温度为175°C,
这些40V MOSFET具有增强 抗雪崩能力，能适应恶劣 操作环境，比如在存在高瞬态电压 应用或MOSFET需要承受增强应力 工作模式中, 根据特定应用所要求 输入和输出电压，这些40V MOSFET可用作同步整流器，或者在隔离和非隔离电源设计中用作初边或高边开关管,
其中，FDS4470具有低栅极电荷，可在高频条件下实现高效率，对驱动器电路造成 应力较小, FDS4480为用户提供另一种选择，其栅极电荷与RDS(on) 关系和FDS4470不同，且价格较低, FDS4672A为低栅极驱动应用提供较低 阈值电压, FDS4780是FDS4480 低导通电阻版本，具有相同 栅极电荷，其FOM值最佳, |
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