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IR推出300V MOSFET功率器件
2003年1月12日 13:49     
FPGA成都    
国际整流器公司(IR)日前推出新产品IRF3000,  它是一个300V, N沟道HEXFET功率MOSFET,用于取代多种电信及网络应用中 机电式继电器,  新器件是一种固态半导体,无机械部分,故可提高整体系统可靠性,且体积比机电式继电器低30%, 

IRF3000比机电式继电器更具效率,导通电阻比机械继电器低90%以上,最大限度地减低了传导损耗,  新器件 栅电荷极低,可最大程度减低开关损耗,  IRF3000比继电器更易驱动,有助简化电路设计并降低整体系统成本,  与机电式继电器相比,IRF3000可节省高达30% 成本,  一般来说,网络和电信系统需采用数以千计 继电器,因此将开关损耗, 传导损耗和个别器件 成本降至最低至关重要, 

IR中国及香港销售总监严国富先生表示:"电信和网络系统对可靠性 要求非常高,  机电式继电器 预计寿命为10万至1000万次操作,IRF3000却可在类似 负载情况下实现近10亿次切换周期,大大提高了整体系统 可靠性,  "

IRF3000适用于需要小电流开关 (1.6A), 输入电压在200V或以下而无须隔离设计 开关应用,也适合负载电压极性不会转变 设计,  该器件还适用于高频率 直流-直流转换器,  IRF3000 额定击穿电压为300V,能为200V或以下输入 开关应用提供所需 安全极限,  该产品现已投入供应, 
 
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