| 尔必达量产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒 |
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| 2009年3月31日 07:48
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| FPGA成都 |
日本尔必达公司近日宣布，已经在其广岛晶圆厂开始批量生产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒,
超低功耗 Mobile RAM内存主要用在手机或掌上影音设备， 移动互联网终端中, 尔必达 50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底开发完成，采用193nm浸润式光刻与铜互连技术制造, 相比70nm产品，它 数据保持电流和工作电流都是前代 一半，在容量翻倍 情况下并未提高电源需求,
尔必达 2Gb Mobile RAM支持MCP多芯片封装， PoP层叠封装等封装技术，使用32bit DDR技术，频率为200MHz，传输传输率达到1.6GB/s, 除JEDEC标准 1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V 低电压工作,
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