| 三星推出业界最高密度 DRAM芯片(低功耗4Gb DDR3) |
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| 2009年2月6日 13:29
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| FPGA成都 |
三星电子公司近日宣布在大容量存储器芯片开发上取得重大进展，开发出业界首款使用50纳米制造工艺生产 4Gb DDR3 DRAM芯片,
随着越来越多 数据中心正在寻求减少服务器数量 方法，低功耗4Gb DDR3 开发成为降低数据中心成本， 提高服务器时间管理效能和增加总体效率 关键,
对于新一代 “绿色”服务器，4Gb DDR3 结合了高密度与低功耗 特性，不仅可以降低电耗，还可以减少与电源和散热设备有关 安装， 维护和修理费用,
4Gb DDR3可制成用于服务器 16GB RDIMM双列直插模块,以及用于工作站和台式机 8GB UDIMM，用于笔记本电脑 8GB小型DIMM, 通过采用双晶片封装技术，这中新器件可提供高达32GB 容量 存储器模块——比基于以前最高芯片密度(2Gb)存储器 容量高出一倍,
4Gb DDR3 DRAM设计为低功耗，工作电压为1.35V，比1.5V DDR3提高了20% 吞吐量, 最高速度为1.6GB/秒,
16GB模块配置中,4Gb DDR3 能耗要比2Gb DDR3模块 低40%，这是因为其具有更高 密度，且仅使用了一半数量 DRAM芯片(32与64之比),
由于转为采用50纳米级工艺制造高密度DDR3，三星力求维护其在高容量/高效能DRAN产品上 领导地位,
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