| Toshiba公司推出系列高电压π-MOS VII MOSFET |
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| 2009年2月2日 14:32
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| FPGA成都 |
近日，Toshiba America Electronic Components公司推出新一系列高电压π-MOS VII MOSFET, π-MOS VII MOSFET结合了先进 工艺技术与平面处理工艺，对电压和RDS(ON) 额定功率 选择范围更宽, Toshiba公司开发 新产品阵容明确了市场对AC/DC和镇流器应用 需求，通过使用该公司第七代π-MOS工艺技术，实现高度 单元集成和优化 单元设计, π-MOS VII系列产品先推出 13个器件中包含7个500V MOSFET和六个600V MOSFET，目标应用为开关电源，如笔记本电脑和台式电脑， 平板显示器 AC适配器以及用于照明 镇流器, π-MOS VII MOSFET系列更多 产品尚在开发计划中，产品系列将扩展为从400V到650V，电气特性 选择范围更宽，这些特性包括漏极电流， RDS(ON) 和栅极电容,
π-MOS VII系列中前7个500V 器件提供 漏极电流范围为5 A 至 15A (最大值)，具有一系列RDS(ON) ， 栅电荷和雪崩能量，符合多种应用 需要, TK5A50D5A漏极电流为5A，RDS(ON) 最大值为1.5W；7A TK7A50D RDS(ON) 最大值为1.22Ω；8A TK8A50D RDS(ON) 最大值为0.85 W；10A TK10A50D RDS(ON) 最大值为0.72Ω；12A TK12A50D RDS(ON) 最大值为0.52 W；13A TK15A50D RDS(ON) 最大值为0.47Ω；15A TK15A50D RDS(ON) 最大值为0.3 W, 这些器件采用Toshiba TO-220SIS封装，等同于工业标准 TO-220F(隔离型)封装，尺寸为10.0mm x 4.5mm x 17.8mm,
π-MOS VII系列中包括六个600V 器件，其漏极电流为3.5A 至 13A (最大值), TK4A60DA漏极电流为3.5A，RDS(ON) 最大值为2.2Ω；6A TK6A60D RDS(ON) 最大值为1.25W；7.5A TK8A60DA RDS(ON) 最大值为1.0Ω；10A TK10A60D RDS(ON) 最大值为0.75Ω；11A TK11A60D RDS(ON) 最大值为0.65Ω；13A TK13A60D RDS(ON) 最大值为0.43Ω,
价格和供货
新式Toshiba π-MOS VII 高电压MOSFET现已供货, 样品量单价$0.75起,
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