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NEC试制GaN半导体功率晶体管 2002年12月23日 15:15      FPGA成都     日前，NEC面向准毫米波频带(30GHz)试制出了GaN系半导体功率晶体管，最大功率约为以前 3倍，实现了2.3W 功率放大,　 主要面向无线通信产品 射频放大器，力争3～5年后投产,　 这种晶体管采用了GaN和AlGaN 异质结(Hetero Junction)，以及使用电子束曝光法制成 长度0.25μm 微细栅电极,　 功率增益截止频率达120GHz， 单位栅极宽度 漏极电流密度约达1A,　 　 本新闻留言共0条  　 北京FPGA培训,　    Copyright 2010 FPGA培训版权所有

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