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FDS4770：40V /13.2A N沟MOSFET 2002年12月20日 10:50      FPGA成都     低导通电阻RDS(ON) = 7.5 mW @ VGS = 10V，低栅极电荷，开关速度快，雪崩能量大，可靠性高，SO8封装,　 最高结温175度C，可用在同步整流器，DC/DC转换器 　 本新闻留言共0条  　 北京FPGA培训,　    Copyright 2010 FPGA培训版权所有

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