| 晶体管新技术未来展望 |
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| 2002年12月19日 13:35
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| FPGA成都 |
日前，AMD公司一位高级研究员在接受《Spectrum》杂志采访是表示高性能微处理器业务也是AMD业务 一部分，今后也将致力于用新 技术取代平面式CMOS晶体管应用, 但包括摩托罗拉在内 从事低能耗芯片制造业务 公司或许会率先采用双栅极设备，原因是他们 在控制电流泄漏 领域具有无与伦比 优势，而控制电流泄漏对于手持产品来说相当重要,
他还表示，除了减小通道效应和设备能源泄漏之外，其它 问题也须解决, 随着电场线间距越来越窄，源和漏极系统越来越小，晶体管 通道电阻也将增大，这将增加能耗并降低产品性能, 随着更多 晶体管采用更高 工作频率，集成电路能耗也将增加, 晶体管在制造过程中所能承受 发热量将减小，这使得对其添加掺杂保护涂层 工作难度变得越来越大, 然后就是产品可制造性问题, |
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