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NEC试制GaN半导体功率晶体管

2002年12月23日 15:15

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日前.NEC面向准毫米波频带（30GHz）试制出了GaN系半导体功率晶体管.最大功率约是以前的3倍.实现了2.3W的功率放大..主要面向无线通信产品的射频放大器.力争3～5年后投产..

这种晶体管采用了GaN和AlGaN的异质结（Hetero Junction）.以及使用电子束曝光法制成的长度0.25μm的微细栅电极..功率增益截止频率达120GHz、单位栅极宽度的漏极电流密度约达1A..

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